Monsieur REBOH Shay : Defect engineering in He and H implantated silicon

Le vendredi 18 juillet 2008 – 8h30.
Campus Do Vale – Laboratoire de Implantação Iônica (Université Fédérale Do Rio Grande Do Sul [UFRGS]) PORTO ALEGRE (Brésil) en visio-conférence pour la France et le Royaume-Uni
Monsieur REBOH Shay
Laboratoire de Physique des Matériaux (LPM)
Defect engineering in He and H implantated silicon.

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